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Unique Microelectronics (Hongkong)Limited
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广泛应用于 III-V 化合物、聚合物、金属和硅刻蚀工艺, 对于采用氟基和氯基气体工艺具有很高的稳定性和重复性 配置预真空室,带有取放机械手,绝缘冷却和加热电极 (-25℃-80℃) 可选干涉式终点检测和刻蚀深度测量系统,可处理 8 寸 晶圆片 配置灵活,可选在线椭偏仪测量,PE 电极,加气路, Cassette 到 Cassette 操作方式,外部反应腔加热等